韓國朝鮮日報報導，三星電子（Samsung Electronics）原定最快第二季供貨人工智慧（AI）晶片大廠輝達（Nvidia）第五代高頻寬記憶體（HBM3E），但這批 12 層 HBM3E 交貨時程卻遭遇意外延期。SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron）已搶先供貨輝達，使三星 HBM 競爭壓力日益增加。
三星下半年預定供貨博通（Broadcom）HBM3E產品，有望成為博通HBM3E最大供應商，占比超過50%。但現在因輝達方受阻，博通供貨可能提前。
三星供貨輝達三大問題，首先是未達輝達嚴苛散熱標準。輝達要求是博通兩倍之高，博通散熱標準不到輝達一半。因輝達是通用型產品，必須各種環境展現高效能，導致功耗極高，加劇晶片散熱問題。如果HBM產生過多熱量，會直接影響晶片性能。
第二問題是資料傳輸。三星HBM過熱等極端條件運作時，資料傳輸速度和準確性表現不如SK海力士和美光。AI半導體性能關鍵就是高效處理大量資料，尤其輝達專屬高效能網路系統NV Link，確保AI半導體密集部署伺服器環境，每個晶片都能快速回應，避免傳輸瓶頸。但三星HBM的DRAM有性能問題，資料傳輸速度或準確性不足可能性據稱高於競爭對手，處理器無法精準辨識HBM傳輸資料，直接影響AI模型性能。
最後就是良率。三星HBM良率較低，雖然是長期問題，但難按時交貨合約規定數量，價格談判時就會削弱競爭力。三星積極重新設計DRAM，以提升品質並穩定良率。半導體業界人士透露，雖然與散熱並存的良率問題已快速改善，但為了打入輝達供應鏈，三星價格還是得比競爭對手低，失去主導性。
三星供貨輝達阻礙不斷，但技術方面取得進展。產業人士指出，三星近期克服大部分難關，但輝達部分產量已分給SK海力士和美光，三星與輝達談判仍需時間。三星正加速交貨新HBM樣品，積極與輝達進行供貨談判。
(首圖來源：shutterstock)
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